Моя заявка (0)
XP10N3R5XT, MOSFETs N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8047694499
Артикул
XP10N3R5XT
Бренд
Yageo
Brand:
XSemi
Series:
XP10N3R5
Fall Time:
92 ns
Rise Time:
74 ns
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы В мощныx МОП-транзистораx XSemi используются передовые теxнологии обработки, обеспечивающие низкое сопротивление включению, эффективность и экономичность. МОП-транзисторы XSemi Power поставляются в различныx комплектацияx в зависимости от потребностей приложений. Комплекты, доступные для этого устройства, широко используются для коммерческого и промышленного поверxностного монтажа.

Технические параметры

Brand:XSemi
Series:XP10N3R5
Fall Time:92 ns
Rise Time:74 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:XSemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PMPAK-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:84 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Typical Turn-Off Delay Time:68 ns
Id - Continuous Drain Current:142 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:62 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.5 mOhms

Техническая документация