XK1R9F10QB,LXGQ, MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025781226
- Артикул
- XK1R9F10QB,LXGQ
- Бренд
- Toshiba
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1.07
Цена по запросу
(от 1 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 100 В 160 А (Ta) 375 Вт (Tc) для поверxностного монтажа ДО-220 См (Вт)
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.07 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | 175°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.92mOhm @ 80A, 10V |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Power Dissipation (Max) | 375W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220SM(W) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 184 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11500 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A(Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |