WSD60N10GDN56, 100V 60A 8.5m-@10V,10A 125W 2.5V@250uA 6.5pF@50V N Channel 2.604nF@50V 49.9nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(5x6) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015821415
- Артикул
- WSD60N10GDN56
- Бренд
- Winsok Semicon
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.17
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 75,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 60 А 8.5mOhm@10V,10 125 Вт 2.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы DFN-8(5.7x5.1) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.17 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 49.9nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.604nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 6.5pF@50V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.5mΩ@10V, 10A |