Моя заявка (0)

WSD30L90DN56, Транзистор полевой, P-MOSFET, сток исток 30В, ток стока 90A, рассеивание 40Вт, DFN-8(5x6)

WSD30L90DN56, Транзистор полевой, P-MOSFET, сток исток 30В, ток стока 90A, рассеивание 40Вт, DFN-8(5x6)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015820511
Артикул
WSD30L90DN56
Бренд
Winsok Semicon
Type
P Channel
Packaging
Tape и Reel(TR)
Вес, г
0.2
Manufacturer
Winsok Semicon
Цена по запросу
(от 52,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 90 А 5.2mOhm@10V,25A 40 Вт 1.8V@250uA P-канальные полевые транзисторы PDFN-8(5.2x6.2) ROHS

Технические параметры

TypeP Channel
PackagingTape и Reel(TR)
Вес, г0.2
ManufacturerWinsok Semicon
Package / CaseDFN5x6-8
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)40W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)70nC@10V
Drain Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss@Vds)3.2nF@15V
Continuous Drain Current (Id)90A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)600pF@15V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)5.2mΩ@10V, 25A
Пороговое напряжение на затворе1.8V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.2mΩ@10V, 25A

Техническая документация