WSD3056DN, 30V 35A 10m-@10V,10A 27W 1.8V@250uA 30pF@15V 2 N-Channel 620pF@15V 7.2nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(3x3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048468160
- Артикул
- WSD3056DN
- Бренд
- Winsok Semicon
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.1
- Структура
- 2 N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 35 А 10 Мом при 10 В, 10 А 27 Вт 1.8V@250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора DFN-8(3x3) ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.1 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 27W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7.2nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 620pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF@15V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V, 10A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10mΩ@10V, 10A |