WSD20L70DN, 20V 70A 6.7m-@4.5V,16A 83W 600mV@250uA 716pF@15V P Channel 5.625nF@15V 70nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(3x3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015819251
- Артикул
- WSD20L70DN
- Бренд
- Winsok Semicon
- Type
- -
- Вес, г
- 0.15
- Структура
- P-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- -
Цена по запросу
(от 32,58 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 70 А 6.7mOhm@4.5V,16A 83 Вт 600 мВ при 250 мкА P-канальные полевые транзисторы DFN-8(3x3) ROHS
Технические параметры
| Type | - |
| Вес, г | 0.15 |
| Структура | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |