WSD2018ADN22, 20V 11A 9.5m-@4.5V,5A 2W 700mV@250uA 138pF@4V N Channel 1.177nF@4V 16nC@5V -55-~+150-@(Tj) DFN-6L(2x2) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015821315
- Артикул
- WSD2018ADN22
- Бренд
- Winsok Semicon
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.05
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 24,03 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 11 А 9.5mOhm@4.5V,52 Вт 700 мВ при 250uA N-канальные МОП-транзисторы DFNWB-6-EP(2x2), соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.05 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16nC@5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.177nF@4V |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 138pF@4V |
| Пороговое напряжение на затворе | 700mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.5mΩ@4.5V, 5A |