WSD100N06GDN56, 60V 100A 3m-@10V,20A 83W 1.8V@250uA 22pF@30V N Channel 3.458nF@30V 58nC@10V +150-@(Tj) DFN-A-8-EP(5x6) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015821710
- Артикул
- WSD100N06GDN56
- Бренд
- Winsok Semicon
- Type
- N Channel
- Packaging
- Tape и Reel(TR)
- Вес, г
- 0.19
- Manufacturer
- Winsok Semicon
Цена по запросу
(от 115,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Вес, г | 0.19 |
| Manufacturer | Winsok Semicon |
| Package / Case | DFN5x6A-8_EP |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 83W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 58nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.458nF@30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 22pF@30V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3mΩ@10V, 20A |