WMX4N150D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025870458
- Артикул
- WMX4N150D1
- Бренд
- Wayon
- Case
- TO3PF
- Mounting
- THT
- Technology
- WMOS™ D1
- Вес, г
- 6
Цена по запросу
(от 309 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO3PF |
| Mounting | THT |
| Technology | WMOS™ D1 |
| Вес, г | 6 |
| Gate charge | 41nC |
| Manufacturer | WAYON |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 4A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 90W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 5.4Ω |
| Drain-source voltage | 1.5kV |
| Pulsed drain current | 16A |
| Особенности | высоковольтный |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 Ohms |