Моя заявка (0)

WMJ9N150D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W

WMJ9N150D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025869681
Артикул
WMJ9N150D1
Бренд
Wayon
Case
TO247-3
Mounting
THT
Technology
WMOS™ D1
Вес, г
5
Цена по запросу
(от 1 230,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO247-3
MountingTHT
TechnologyWMOS™ D1
Вес, г5
Gate charge85.2nC
ManufacturerWAYON
Polarisationunipolar
Drain current9A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation320W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.9Ω
Drain-source voltage1.5kV
Pulsed drain current36A
Особенностивысоковольтный
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт320
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В