WMJ99N60F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031424040
- Артикул
- WMJ99N60F2
- Бренд
- Wayon
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- WMOS™ F2
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 2 657,49 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | WMOS™ F2 |
| Вес, г | 5 |
| Gate charge | 174nC |
| Manufacturer | WAYON |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 60A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 460W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 25.5mΩ |
| Drain-source voltage | 600V |
| Pulsed drain current | 350A |
| Особенности | высоковольтный |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 460 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |