Моя заявка (0)

WMJ90N60F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W

WMJ90N60F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031424096
Артикул
WMJ90N60F2
Бренд
Wayon
Case
TO247-3
Mounting
THT
Technology
WMOS™ F2
Вес, г
5
Цена по запросу
(от 1 980,93 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO247-3
MountingTHT
TechnologyWMOS™ F2
Вес, г5
Gate charge142nC
ManufacturerWAYON
Polarisationunipolar
Drain current50A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation430W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance33mΩ
Drain-source voltage600V
Pulsed drain current295A
Особенностивысоковольтный
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт430
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В