WMJ53N65F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031453997
- Артикул
- WMJ53N65F2
- Бренд
- Wayon
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- WMOS™ F2
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 1 760 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | WMOS™ F2 |
| Вес, г | 5 |
| Gate charge | 58nC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 26A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 350W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 78mΩ |
| Drain-source voltage | 650V |
| Pulsed drain current | 90A |
| Особенности | высоковольтный |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 350 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |