Моя заявка (0)

WMJ28N60F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W

WMJ28N60F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031412384
Артикул
WMJ28N60F2
Бренд
Wayon
Case
TO247-3
Mounting
THT
Technology
WMOS™ F2
Вес, г
5
Цена по запросу
(от 664,16 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO247-3
MountingTHT
TechnologyWMOS™ F2
Вес, г5
Gate charge27.3nC
ManufacturerWAYON
Polarisationunipolar
Drain current13A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation160W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.19Ω
Drain-source voltage600V
Pulsed drain current65A
Особенностивысоковольтный
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В