Моя заявка (0)

WMJ11N150D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W

WMJ11N150D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025870823
Артикул
WMJ11N150D1
Бренд
Wayon
Case
TO247-3
Mounting
THT
Technology
WMOS™ D1
Вес, г
5
Цена по запросу
(от 1 352,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO247-3
MountingTHT
TechnologyWMOS™ D1
Вес, г5
Gate charge93nC
ManufacturerWAYON
Polarisationunipolar
Drain current11A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation250W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.5Ω
Drain-source voltage1.5kV
Pulsed drain current44A
Особенностивысоковольтный
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)145mΩ@12A, 10V