WMB175N10HG4, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; Idm: 184A; 71.4W; PDFN56
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025869937
- Артикул
- WMB175N10HG4
- Бренд
- Wayon
- Case
- PDFN56
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.16
- Gate charge
- 17nC
Цена по запросу
(от 78,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 44А
Технические параметры
| Case | PDFN56 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.16 |
| Gate charge | 17nC |
| Manufacturer | WAYON |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | PDFN5x6 |
| Drain current | 29A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 71.4W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 17.5mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 184A |
| Reverse recovery time | 30ns |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | -7 V, +7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 71.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |