Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024881133
Артикул
W25N50
Бренд
Jingdao Microelectronics
Вес, г
7.98
Корпус
TO-247-3
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
219W
Цена по запросу
(от 178 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г7.98
КорпусTO-247-3
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)219W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)30nC@400V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.66nF@25V
Continuous Drain Current (Id)25A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)10.4pF
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт219
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.27Ω@10V, 12.5A