VT6X2T2R, VMT6 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017582669
- Артикул
- VT6X2T2R
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.05
- Серия
- VT6X2
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.1A 6PIN
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | VT6X2 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | VMT-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Другие названия товара № | VT6X2 |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 at 1 mA at 6 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |