VT6M1T2CR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 100/-100мА; Idm: 0,4А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014888383
- Артикул
- VT6M1T2CR
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.1
- Серия:
- VT6M1
- Структура
- MOSFET
- Технология:
- Si
Цена по запросу
(от 102 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Серия: | VT6M1 |
| Структура | MOSFET |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 38 ns, 137 ns |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Dual |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок: | VMT-6 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET |
| Время нарастания: | 4 ns, 62 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 2 Channel |
| Полярность транзистора: | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 150 mW |
| Другие названия товара №: | VT6M1 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 100 mA |
| Размер фабричной упаковки: | 8000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -8 V, +8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 3.5 Ohms, 3.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 20 ns, 325 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 5 ns, 46 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 300 mV |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |