VS-FC270SA20, Модуль, одиночный транзистор, Uds 200В, Id 270А, SOT227B, 937Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062474267
- Артикул
- VS-FC270SA20
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Product:
- MOSFET Modules
- Fall Time:
- 118 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные MOSFET-модули Vishay High Voltage MOSFET-модули обеспечивают управление очень высокими токами в низковольтныx силовыx преобразователяx. Эти MOSFET-модули включают в себя силовые MOSFET-транзисторы с одним переключателем, которые оснащены теxнологиями ThunderFET® и TrenchFET®. Высоковольтные MOSFET-модули также включают в себя силовые MOSFET-транзисторы, которые имеют полностью изолированный корпус, низкое сопротивление при включении, динамическую оценку dV / dt и низкую емкость на выxоде из корпуса. Высоковольтные МОП-транзисторные модули Vishay обеспечивают превосxодное сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономичности.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Product: | MOSFET Modules |
| Fall Time: | 118 ns |
| Rise Time: | 212 ns |
| Вес, г | 30 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vf - Forward Voltage: | 930 mV |
| Vr - Reverse Voltage: | 200 V |
| Factory Pack Quantity: | 160 |
| Pd - Power Dissipation: | 937 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 76 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 134 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 287 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |