VRF151, RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007350311
- Артикул
- VRF151
- Бренд
- Microchip Technology
- Gain:
- 22 dB
- Type:
- RF Power MOSFET
- Brand:
- Microchip Technology
- Вес, г
- 17
Цена по запросу
(от 12 410 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Gain: | 22 dB |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Вес, г | 17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Manufacturer: | Microchip |
| Output Power: | 150 W |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Структура | MOSFET |
| Operating Frequency: | 175 MHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | +40 V |
| Operating Temperature Range: | -65 C to+150 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5 mS |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 180 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | +40 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 180 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |