Моя заявка (0)

VP2110K1-G, Power MOSFET, P Channel, 100 V, 120 mA, 9 ohm, SOT-23, Surface Mount

VP2110K1-G, Power MOSFET, P Channel, 100 V, 120 mA, 9 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000247856
Артикул
VP2110K1-G
Бренд
Microchip Technology
Тип
FET
Вес, г
0.002
Длина
2.9 mm
Channel Type
P Channel
Цена по запросу
(от 166 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V 12Ohm

Технические параметры

ТипFET
Вес, г0.002
Длина2.9 mm
Channel TypeP Channel
Package TypeSOT-23
Высота0.95 mm
КорпусSOT-23
Ширина1.3 mm
Mounting TypeThrough Hole
ПродуктMOSFET Small Signal
Power Dissipation360мВт
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum Drain Source Voltage100 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Время нарастания5 ns
Drain Source On State Resistance9Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока120мА
Рассеиваемая Мощность360мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Pd - рассеивание мощности360 mW
Id - непрерывный ток утечки120 mA
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток12 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150 C
Типичное время задержки выключения5 ns
Типичное время задержки при включении4 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)9Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.12
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.150 mS
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)9 Ом

Техническая документация