Моя заявка (0)

VP2106N3-G, Транзистор P-МОП, -60В, -500мА, 1Вт, TO92

VP2106N3-G, Транзистор P-МОП, -60В, -500мА, 1Вт, TO92

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062088127
Артикул
VP2106N3-G
Бренд
Microchip Technology
Case
TO92
Brand
Microchip
Width
4.06mm
Length
5.08mm
Цена по запросу
(от 97 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET-транзисторы Supertex с режимом усиления P-канала Линейка DMOS-полевыx транзисторов Supertex с режимом усиления P-канала (обычно выключенныx) от Microchip подxодит для широкого спектра применений коммутации и усиления, требующиx низкого порогового напряжения, высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.

Технические параметры

CaseTO92
BrandMicrochip
Width4.06mm
Length5.08mm
MountingTHT
Pin Count3
Вес, г0.22
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
Package TypeTO-92
Polarisationunipolar
Высота5.33mm
Ширина4.06mm
Mounting TypeМонтаж на плату в отверстия
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
Power dissipation1W
Type of transistorP-MOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance12Ω
Transistor MaterialSi
Drain-source voltage-60V
Pulsed drain current-0.5A
Forward Diode Voltage2V
Номер каналаПоднятие
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Power Dissipation1 Вт
Maximum Gate Source Voltage-20 В, +20 В
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Число контактов3
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance15 Ω
Maximum Continuous Drain Current250 mA
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальное напряжение сток-исток60 В
Максимальный непрерывный ток стока250 mA
Максимальное пороговое напряжение включения3.5V

Техническая документация