VP0808L-G,Power MOSFET, P Channel, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000160443
- Артикул
- VP0808L-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 406 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология MICROCHIP. деталь VP0808L-G представляет собой высокоэффективный и компактный кремниевый элемент на транзистораx MOSFET P-CH, который работает при напряжении 80 В и токе 0,28 А. Этот пакет с 3-контактным разъемом TO-92 обеспечивает отличную теплоотдачу и меxаническую стабильность, что делает его идеальным для широкого спектра применений. Благодаря надежной работе и компактному дизайну VP0808L-G является отличным выбором для систем управления питанием и коммутации, которым требуются решения с оптимальной производительностью и компактностью.
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 30 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 40 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 1W |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 5Ω |
| Drain-source voltage | -80V |
| Pulsed drain current | -1.1A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 280 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 200 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом |