Моя заявка (0)

VP0109N3-G, Power MOSFET, Enhanced-Mode, P Channel, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Through Hole

VP0109N3-G, Power MOSFET, Enhanced-Mode, P Channel, 90 V, 250 mA, 6 ohm, TO-92, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8636170960
Артикул
VP0109N3-G
Бренд
Microchip Technology
Case
TO92
Series
VP0109
Тип
FET
Mounting
THT
Цена по запросу
(от 245 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 90V 8Ohm

Технические параметры

CaseTO92
SeriesVP0109
ТипFET
MountingTHT
Pin Count3
Вес, г0.01
Длина5.21 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
Package TypeTO-92
Polarisationunipolar
Высота5.33 mm
Ширина4.19 mm
Mounting TypeThrough Hole
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
УпаковкаBulk
Power dissipation1W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураP-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8Ω
Drain-source voltage-90V
Pulsed drain current-0.5A
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокTO-92-3
Maximum Drain Source Voltage90 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance8 Ω
Время нарастания3 ns
Maximum Continuous Drain Current250 mA
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности1 W
Id - непрерывный ток утечки250 mA
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток90 V
Пороговое напряжение на затворе3
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения8 ns
Типичное время задержки при включении4 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В90
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6 Ом

Техническая документация