VP0109N3-G, Транзистор P-МОП, -90В, -500мА, 1Вт, TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062918066
- Артикул
- VP0109N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Тип
- FET
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 0.22
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 90V 8Ohm
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Тип | FET |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 0.22 |
| Длина | 5.21 mm |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Упаковка | Bulk |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 8Ω |
| Drain-source voltage | -90V |
| Pulsed drain current | -0.5A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 4 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время нарастания | 3 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 90 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |