Моя заявка (0)

VNS1NV04DPTR-E,Power MOSFET, N Channel, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Surface Mount

VNS1NV04DPTR-E,Power MOSFET, N Channel, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049165275
Артикул
VNS1NV04DPTR-E
Бренд
STMicroelectronics
Type:
Low-Side
Brand:
STMicroelectronics
Series:
VNS1NV04DP-E
Product:
MOSFET Gate Drivers
Цена по запросу
(от 376 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Приводы серии OMNIFET с полностью автоматической защитой нижниx боковыx стенок оцениваются по таким критериям, как прочность и повышенная надежность.

Технические параметры

Type:Low-Side
Brand:STMicroelectronics
Series:VNS1NV04DP-E
Product:MOSFET Gate Drivers
Pin Count8
Fall Time:600 ns
Rise Time:500 ns
Вес, г0.319
Technology:Si
Package TypeSOIC
Subcategory:PMIC-Power Management ICs
Input Voltage36V
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:Gate Drivers
Output Current1.7A
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Output Current:1.7 A
Package / Case:SOIC-8
Number of Outputs2
Product Category:Gate Drivers
Resistor On-State250mΩ
Number of Drivers:2 Driver
Number of Outputs:2 Output
СтруктураN-Channel
Moisture Sensitive:Yes
Supply Voltage - Max:24 V
Особенности-
Operating Supply Current:150 uA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В45
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.25 Ом

Техническая документация