VN3205N3-G, Power MOSFET, N Channel, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000156551
- Артикул
- VN3205N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 343 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 50 В 1,2 А (Tj) 1 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-92-3
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 25 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 15 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 1.2A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10mA |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.3Ω |
| Drain-source voltage | 50V |
| Pulsed drain current | 8A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 3A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Power Dissipation (Max) | 1W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.3Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A(Tj) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 1.2А |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.3Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом |