Моя заявка (0)

VN2460N8-G, Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

VN2460N8-G, Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002186882
Артикул
VN2460N8-G
Бренд
Microchip Technology
Type
Power MOSFET
Mounting
Surface Mount
Polarity
N
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 315 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 0,2А, 600 В, SOT-89-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 200 мА; Напряжение источника стока Vds: 600 В; Сопротивление включения Rds(on): 20 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 1,6 Вт; Тип корпуса транзистора: SOT-89; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Без SVHC (27 июня 2018 г.)

Технические параметры

TypePower MOSFET
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count3+Tab
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Package TypeSOT-89
Rad HardenedNo
Корпусsot-89
Power Dissipation1.6(W)
Number of Elements1
СтруктураN-Channel
Drain-Source On-Volt600(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Особенностивысоковольтный
Continuous Drain Current0.2(A)
Gate-Source Voltage (Max)±20(V)
Operating Temperature ClassificationMilitary
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В