VN2460N3-G, Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002187292
- Артикул
- VN2460N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- RoHS
- Details
- Type
- FET
- Brand
- Microchip Technology
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 62 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 600V 20Ohm
Технические параметры
| Case | TO92 |
| RoHS | Details |
| Type | FET |
| Brand | Microchip Technology |
| Width | 4.19 mm |
| Height | 5.33 mm |
| Length | 5.21 mm |
| Тип | FET |
| Mounting | THT |
| Fall Time | 20 ns |
| Packaging | Bulk |
| Rise Time | 10 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 5.21 mm |
| Unit Weight | 0.00776 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Microchip |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Configuration | Single |
| Drain current | 0.16A |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Упаковка | Bulk |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 20Ω |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Drain-source voltage | 600V |
| Pulsed drain current | 0.5A |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 20 ns |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 160 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 10 ns |
| Drain Source On State Resistance | 20Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20 Ohms |
| Линейка Продукции | VN2460 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Непрерывный Ток Стока | 160мА |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 160 mA |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 20Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |