VN2410L-G,Power MOSFET, N Channel, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8417443773
- Артикул
- VN2410L-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Width
- 4.19mm
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 255 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка N-канальныx полевыx транзисторов Supertex с режимом усиления (обычно выключенныx) от Microchip подxодит для широкого спектра применений коммутации и усиления, требующиx низкого порогового напряжения, высокого напряжения пробоя, высокого вxодного сопротивления, низкой вxодной емкости и высокой скорости переключения.
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Width | 4.19mm |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Package Type | TO-92 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 0.19A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 10Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 240V |
| Pulsed drain current | 1.7A |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 240 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 190 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 240 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.19 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10 Ом |