VN2222LL-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 750мА, TO92, Канал обогащенный
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030775792
- Артикул
- VN2222LL-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Width
- 4.06mm
- Тип
- FET
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 114 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V 7.5Ohm
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Width | 4.06mm |
| Тип | FET |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.31 |
| Длина | 5.21 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Package Type | TO-92 |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Drain current | 0.23A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Упаковка | Bulk |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 7.5Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 1A |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 0.85V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 230 mA |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 230 mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.75 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mmho |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |