Моя заявка (0)

VN2210N2, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 360mW; TO39

VN2210N2, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 360mW; TO39

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062117404
Артикул
VN2210N2
Бренд
Microchip Technology
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Package
Bulk
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 2 430 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В 1,7 А (Tj) 360 МВт (Tc) Со сквозным отверстием TO-39

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
PackageBulk
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г1.1
RoHS StatusRoHS non-compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeThrough Hole
PCN Packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
Package / CaseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 10mA
Base Product NumberVN2210 ->
PCN Assembly/Originhttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max)360mW (Tc)
Supplier Device PackageTO-39
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C1.7A (Tj)

Техническая документация