VN2210N2, Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002187321
- Артикул
- VN2210N2
- Бренд
- Microchip Technology
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Package
- Bulk
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 4 140 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 100 В 1,7 А (Tj) 360 МВт (Tc) Со сквозным отверстием TO-39
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Package | Bulk |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | RoHS non-compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Through Hole |
| PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10mA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | VN2210 -> |
| PCN Assembly/Origin | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 4A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.7A (Tj) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |