VN2110 Type N-Channel MOSFET, 0.6 A, 100 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 VN2110K1-G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030985293
- Артикул
- VN2110K1-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology/Atmel
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 103,27 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низкопороговый МОП-транзистор Microchip P-Channel, работающий в режиме усиления (обычно выключенный), использует вертикальную структуру DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс производства на кремниевыx затвораx.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology/Atmel |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 360мВт |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 150 mS |
| Drain Source On State Resistance | 3Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 200мА |
| Рассеиваемая Мощность | 360мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |