Моя заявка (0)
VN1206L-G, Trans MOSFET N-CH Si 120V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002187226
Артикул
VN1206L-G
Бренд
Microchip Technology
Case
TO92
Тип
FET
Mounting
THT
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 470 ₽)
Минимальный заказ: 75 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 120V 6Ohm

Технические параметры

CaseTO92
ТипFET
MountingTHT
Вес, г1
Длина5.21 mm
Channel TypeN Channel
ManufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
Polarisationunipolar
Высота5.33 mm
Ширина4.19 mm
Drain current0.23A
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
УпаковкаBulk
Power Dissipation1Вт
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±30V
On-state resistance6Ω
Drain-source voltage120V
Pulsed drain current2A
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада12 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокTO-92-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания8 ns
Drain Source On State Resistance6Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока230мА
Рассеиваемая Мощность1Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2В
Pd - рассеивание мощности1 W
Id - непрерывный ток утечки230 mA
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds120В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-92
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток120 V
Пороговое напряжение на затворе3
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения18 ns
Типичное время задержки при включении8 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)6Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.23
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация