Моя заявка (0)

VN10LF, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount

VN10LF, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8899662255
Артикул
VN10LF
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.033
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Корпус
SOT-23
Цена по запросу
(от 153 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

VN10LF - вертикальный DMOS-полевой транзистор с N-канальным усилением. - Напряжение стока-источника составляет 60 В - Постоянный ток стока при Tamb=25°C составляет 150 мА - Импульсный ток стока составляет 3 А - Напряжение на затворе-источнике составляет ±20 В - Рассеиваемая мощность при Tamb=25°C составляет 330 МВт - Сопротивление статического источника стока в рабочем состоянии составляет не более 5 Ом при VGS=10 В, ID=500 мА, Tamb=25°C - Ток стока с нулевым напряжением затвора составляет не более 10 мкА при VDS=60 В, VGS=0 В, Tamb=25°C - Время включения/выключения составляет максимум 10 секунд при напряжении питания ~15 В, ID=600 мА, Tamb=25°C - Комплектация SOT23 - Диапазон рабочиx температур и температур xранения от -55 до +150°C

Технические параметры

Вес, г0.033
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусSOT-23
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-23
Особенности-
Drain Source Voltage Vds60V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id150mA
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт330mW
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5 Ом

Техническая документация