VN10KN3-G-P002, MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006341606
- Артикул
- VN10KN3-G-P002
- Бренд
- Microchip Technology
- Вес, г
- 0.45
- Длина
- 5.21 mm
- Высота
- 5.33 mm
- Ширина
- 4.19 mm
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.45 |
| Длина | 5.21 mm |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 310 mA |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |