VN0550N3-G, Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.05A 3-Pin TO-92 Bag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002187367
- Артикул
- VN0550N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Тип
- FET
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 125 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 500V 60Ohm
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Тип | FET |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 5.21 mm |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Drain current | 50mA |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Упаковка | Bulk |
| Power dissipation | 1W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 60Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Pulsed drain current | 0.25A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.05 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |