VN0109N3-G, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 2A; TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025870198
- Артикул
- VN0109N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 0.45
- Manufacturer
- MICROCHIP TECHNOLOGY
Цена по запросу
(от 175 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор N-CHANNEL ENHANCE-MODE 90V
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 0.45 |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Polarisation | unipolar |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Упаковка | Bulk |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 3Ω |
| Drain-source voltage | 90V |
| Pulsed drain current | 2A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 90 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 90 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |