Моя заявка (0)

VN0106N3-G,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Through Hole

VN0106N3-G,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000218296
Артикул
VN0106N3-G
Бренд
Microchip Technology
Case
TO92
Mounting
THT
Вес, г
0.2
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 148 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Низкопороговый МОП-транзистор Microchip P-Channel, работающий в режиме усиления (обычно выключенный), использует вертикальную структуру DMOS и xорошо зарекомендовавший себя процесс производства на кремниевыx затвораx.

Технические параметры

CaseTO92
MountingTHT
Вес, г0.2
Channel TypeN
ManufacturerMICROCHIP TECHNOLOGY
Package TypeTO-92
Polarisationunipolar
Drain current0.35A
Mounting TypeThrough Hole
Kind of channelenhanced
Kind of packagebulk
Power dissipation1W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3Ω
Drain-source voltage60V
Pulsed drain current2A
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage60 V
Пороговое напряжение на затворе3
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.35
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.5 Ом

Техническая документация