VN0104N3-G,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 350 mA, 2.5 ohm, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000176064
- Артикул
- VN0104N3-G
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO92
- Type
- Power MOSFET
- Type:
- FET
- Brand:
- Microchip Technology
Цена по запросу
(от 166 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
D-MOSFET, N-CH, 0,35А, 40 В, TO-92-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 350 мА; Напряжение источника стока Vds: 40 В; Сопротивление включения Rds(on): 2,5 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое значение Напряжение Vgs: 2,4 В;
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Type | Power MOSFET |
| Type: | FET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Package Type | TO-92 |
| Polarisation | unipolar |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 0.35A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 1(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Elements | 1 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 3Ω |
| Drain-Source On-Volt | 40(V) |
| Drain-source voltage | 40V |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Pulsed drain current | 2A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Continuous Drain Current | 0.35(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 350 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 300 mmho |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 Ом |