VEC2610-TL-E, Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 4.5A/3A 8-Pin Case VEC T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002212229
- Артикул
- VEC2610-TL-E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Category
- Power MOSFET
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 1304 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N/P-CH Si 20V 4,5A/3A с 8-контактным корпусом VEC T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Category | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Package Width | 2.3 |
| Package Length | 2.9 |
| Supplier Package | Case VEC |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | MOSFET |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 52@N Channel, 62@P Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 105@N Channel, 53@P Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7.6@4V@N Channel, 8.2@4.5V@P Channel |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±10 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15@N Channel, 13@P Channel |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 50@N Channel, 77@P Channel |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 570@10V@N Channel, 680@10V@P Channel |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 42@4V@N Channel, 81@4.5V@P Channel |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |