VBJ2102M, 100V 3A 6.5W 230m-@6V,2A 4V@250uA P Channel SOT-223 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015924343
- Артикул
- VBJ2102M
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.34
- Корпус
- SOT-223
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 3A 6,5 Вт 230 Мом при 6 В, 2A 4 В при 250uA P-канальные МОП-транзисторы SOT-223 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.34 |
| Корпус | SOT-223 |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 6.5W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 230mО© @ 2A,6V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 6.5W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 230mΩ@6V, 2A |