VBJ1201K, 200V 1A 3.1W 1.2-@10V,580mA 4V@250uA N Channel SOT-223 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015877045
- Артикул
- VBJ1201K
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.34
- Корпус
- SOT-223
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
200 В 1 А 3,1 Вт 1.2Ohm@10V,580 мА 4 В при 250 мкА N-канальные МОП-транзисторы SOT-223, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.34 |
| Корпус | SOT-223 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3.1W |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 1A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2Ω@10V, 580mA |