Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015853237
Артикул
VBFB165R04
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Type
N Channel
Вес, г
0.79
Структура
N-Channel
Power Dissipation (Pd)
-
Цена по запросу
(от 55,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

650 В 4,5 А 2 ОМ при 10 В, 4,5 А N-канальный TO-251 МОП-транзистор ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.79
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)-
Особенностивысоковольтный
Total Gate Charge (Qg@Vgs)-
Input Capacitance (Ciss@Vds)-
Continuous Drain Current (Id)4.5A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2Ω@10V, 4.5A

Техническая документация