Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015884431
Артикул
VBFB165R02
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Type
N Channel
Вес, г
0.84
Структура
N-Channel
Power Dissipation (Pd)
-
Цена по запросу
(от 71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

650 В 2A 5Ohm при 10 В, 2A N-канальные МОП-транзисторы TO-251 ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.84
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)-
Особенностивысоковольтный
Total Gate Charge (Qg@Vgs)-
Input Capacitance (Ciss@Vds)-
Continuous Drain Current (Id)2A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5Ω@10V, 2A

Техническая документация