VBE1101M, 100V 15A 114mOhm@10V,3A 3W N Channel TO-252-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024879365
- Артикул
- VBE1101M
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 2.42
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 96W
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2.42 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 96W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 950pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 15A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 60pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 114mΩ@10V, 3A |