Моя заявка (0)
UT6ME5TCR, MOSFETs DFN 100V 2A DUAL CH

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024121728
Артикул
UT6ME5TCR
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
5 ns, 25 ns
Rise Time:
6 ns, 5.4 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 69,73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:5 ns, 25 ns
Rise Time:6 ns, 5.4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN-2020-8D
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:2.8 nC, 6.7 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns, 6.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns, 31 ns
Id - Continuous Drain Current:2 A, 1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1 S, 1.3 S
Rds On - Drain-Source Resistance:207 mOhms, 840 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В