UT6MA3TCR, MOSFETs 20V Nch+Pch Si MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005509160
- Артикул
- UT6MA3TCR
- Бренд
- Rohm
- Type
- 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 5.5 ns, 30 ns
- Rise Time:
- 5.9 ns, 36 ns
Цена по запросу
(от 107,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Type | 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 5.5 ns, 30 ns |
| Rise Time: | 5.9 ns, 36 ns |
| Вес, г | 0.77 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HUML2020L-8 |
| Part # Aliases: | UT6MA3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 4 nC, 6.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns, 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns, 50 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.5 A, 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.1 S, 4.1 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms, 42 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV, 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |